Dynamic Random Access Memory
Dynamic random access memory, kortweg DRAM, is een type RAM waarbij iedere bit in een eigen condensator wordt opgeslagen. De opgeslagen lading lekt snel weg en moet daarom periodiek worden ververst. Vanwege dit herladen wordt het dynamische RAM genoemd, in tegenstelling tot SRAM.
Een computer met DRAM voert dus niet alleen het nuttige programma uit, maar moet ook steeds het volledige geheugen verversen, dus lezen en weer herschrijven. Gelukkig zorgt de hardware hiervoor, zodat de programmeur er geen omkijken naar heeft. Bovendien is een geheugenchip in staat een hele rij van de gegevensmatrix ineens te verversen, waarbij de gegevens niet buiten de chip hoeven te komen.
Het voordeel ten opzichte van SRAM is, dat er weinig componenten per bit nodig zijn: één transistor en condensator per bit, vergeleken met zes transistors in SRAM. Hierdoor kan met DRAM een hogere integratiedichtheid behaald worden.
DRAM en SRAM verliezen de gegevens als de voedingsspanning wegvalt en zijn dus vluchtige geheugens.
