Ionenimplanter
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Ionenimplanter sind Maschinen, die Werkstoffe mit geladenen Teilchen beschießen, um die Materialeigenschaften zu ändern.
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[Bearbeiten] Aufbau
Alle Ionenimplanter bestehen aus einer Ionenquelle, einer Extraktionsblende, einer Masse- und Energietrennung der Ionen, einem Scansystem sowie einer Kammer zur Bearbeitung der Wafer.
Als Donatoren dienen folgende Elemente:
ferner auch:
Diese Elemente werden oft nicht in ihrer elementaren Form, sondern gebunden in gasförmiger oder fester Form (Pulver) eingesetzt:
- Bor BF3 (Gas)
- Phosphor PH3 (Gas)
- Arsen AsH3 (Gas)
- Indium InCl3 (fest)
- Germanium Ge (fest)
- Stickstoff N (Gas)
- Sauerstoff O
- Argon Ar
In der Ionenquelle wird das Gas ionisiert und mit einer Hochspannung beschleunigt. Magnete nehmen eine Massetrennung vor.
[Bearbeiten] Einteilung
[Bearbeiten] nach Einsatz
Bei der Halbleiterherstellung unterscheidet man drei Grundtypen von Implantern:
- Mittelstromimplanter mit Implantströmen von 10µA bis 5mA bei Energien von 5 bis 900 keV
- Hochstromimplanter mit Implantströmen von 100µA bis 30 mA bei Energien von 0,5 bis 220 keV
- Hochenergieimplanter mit Implantströmen von 10µA bis 1mA bei Energien von 200 bis 3000 keV
[Bearbeiten] nach Aufbau
Weiterhin kann man Implanter nach ihrem Handlingssystem einteilen:
- Batchmaschinen (es werden mehrere Wafer gleichzeitig bearbeitet)
- Single-Wafer-Maschinen (die Wafer werden nacheinander bearbeitet)