Арсенид галлия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, второй по масштабам использования в промышленности после кремния. Используется в диодах Ганна, высокочастотных интегральных схемах, светоизлучающих диодах и лазерных диодах.
Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью, позволяющей работать на частотах 250 ГГц. Также приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые устройства на той же операционной частоте. Из-за более высокого напряжения пробоя в GaAs чем в Si эти приборы могут работать при большей мощности. Эти свойства делают GaAs широко применяемым в мобильных телефонах, твердотельных лазерах, некоторых радарных системах. GaAs — прямозонный полупроводник, что также является его преимуществом. GaAs может быть использован в оптических приборах: светоизлучающих диодах, твердотельных лазерах. Сложные слоистые структуры арсенида галлия в комбинации с арсенидом алюминия (AlAs) или тройными растворами AlxGa1-xAs можно вырастить с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Из-за практически полного согласования постоянных решёток слои имеют малые напряжения и могут выращиваться произвольной толщины. Токсические свойства арсенида галлия не были детально исследованы, но это вещество токсично и канцерогенно. |