JFET
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Il JFET è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi una via di mezzo tra i BJT e i MOSFET.
L'acronimo JFET sta per junction field effect transistor, o transistor ad effetto di campo a giunzione.
In pratica l'intero funzionamento si basa sull'estensione della zona di svuotamento (deplation layer) all'interno di un canale, in seguito alla polarizzazione inversa di una giunzione, che viene localizzata tra il terminale di gate e quello di source.
Il canale in cui transita la corrente può essere di tipo N o di tipo P. Le estremità del canale sono collegate a due terminali: il source ed il drain. Per contraddistinguere questi due terminali, possiamo paragonare il source all’emettitore del BJT, ed il drain al collettore. L’elemento di controllo (analogo alla base del BJT) si chiama gate, e viene realizzato attraverso una giunzione che, polarizzata inversamente, ostruirà il passaggio di carica nel canale. Il gate viene collegato con il bulk e polarizzato ad un potenziale inferiore al source (ed al drain). Si crea pertanto una zona di svuotamento. Diminuendo ulteriormente la tensione di gate rispetto al source, la zona di svuotamento si estenderà ulteriormente fino a produrre uno strozzamento del canale: in tal caso, l’applicazione di una differenza di potenziale fra drain e source non comporterà alcun passaggio di carica, ed il dispositivo risulterà interdetto.
Al contrario del transistor bipolare, la cui grandezza di controllo è la corrente di base, i FET sono controllati in tensione e la corrente assorbita dal gate risulta pertanto molto bassa. È inoltre possibile realizzare JFET con due gate: sono questi dispositivi molto utilizzati per la realizzazione di mixer a transconduttanza, utilizzabili per conversione di frequenza anche in microonde.
