ALD-reaktori
Wikipedia
ALD-reaktori (Atomic Layer Deposition), ALE (Atomic Layer Epitaxy) on kemiallinen menetelmä ohutkalvojen muodostamiseen. Tämä Suomessa kehitetty laite kykenee pinoamaan atomeja kerroksiin.
ALD-reaktorissa lähtöaineet tuodaan substraatin pinnalle pulsseissa vuoroittain ja annetaan reagoida. Tällä tavalla voidaan kasvattaa haluttu kalvo atomikerroksen tarkkuudella.
ALD-ohutkalvoja voidaan käyttää mikroelektroniikassa, kuten tietokoneissa.