Zener-Effekt
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Der Zener-Effekt , nach seinem Entdecker Clarence Melvin Zener (1905-1993) benannt, ist das Auftreten eines Stroms (Zener-Strom) in Sperrrichtung bei einer hoch dotierten Halbleitersperrschicht durch freie Ladungsträger.
Die Grundlage für den Zener-Effekt ist eine durch Vorspannung hervorgerufene gegenseitige Verschiebung der Energiebänder im p-dotierten und im n-dotierten Bereich. Diese Verschiebung geht soweit, dass unbesetzte Zustände im Leitungsband die gleiche Energie haben wie besetzte Zustände im Valenzband. Durch diese Annäherung ist es Elektronen mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit möglich ohne Energieaufnahme aus dem Valenzband in das Leitungsband zu gelangen (Tunneleffekt).
Die für den „Zener-Durchbruch“ notwendige Mindestspannung wird als Zener-Spannung bezeichnet. Bei Siliziumdioden liegt die Zener-Spannung etwa zwischen 2 und 6,5 V.
Technisch genutzt wird dieser Effekt durch die so genannte Zenerdiode.
