Tantalnitrid
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| Strukturformel | |
|---|---|
| Allgemeines | |
| Name | Tantalnitrid |
| Andere Namen | Tantalum(III)nitrid, Tantalmononitrid |
| Summenformel | TaN (es gibt auch Ta2N, Ta2N3, Ta3N5 , Ta4N5, Ta5N6) |
| CAS-Nummer | 12033-62-4 |
| Kurzbeschreibung | graues bis schwarzes Pulver |
| Eigenschaften | |
| Molmasse | 194.955 g/mol |
| Aggregatzustand | fest |
| Dichte | 13.7 g/cm3 |
| Schmelzpunkt | ~3000 °C |
| Siedepunkt | - °C |
| Löslichkeit | unlöslich in Wasser |
| Sicherheitshinweise | |
| - | |
| R- und S-Sätze | R: S: |
| MAK | - |
| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | |
Tantalnitride sind keramische Verbindungen aus Tantal und Stickstoff. Sie treten in mehreren Modifikationen und Oxidationsstufen auf (a-TaN, e-TaN, Ta2N, ...). Am häufigsten verwendet wird Tantalmononitrid TaN. Es wird hauptsächlich bei der Chipherstellung als Sperr- und Haftschicht (Low-K-Dielektrika) verwendet, kommt jedoch auch bei hochgenauen Dünnschichtwiderständen zum Einsatz. Bei Dickschicht-Solarzellen setzt man Tantalnitrid als Diffusionsbarriere ein. Das Material wird dabei durch Sputtern aufgetragen. Weiterhin wird Tantalntitrid als Beschichtungsmaterial in der Medizintechnik oder von Schmelztiegeln verwendet, da es resistent gegen flüssige Aktiniden-Metalle ist. TaN ist ein Supraleiter.
[Bearbeiten] Gewinnung und Darstellung
Stickstoff reagiert bei erhöhter Temperatur unter Bildung von Tantalnitrid.
[Bearbeiten] Literatur
- Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen (Taschenbuch), ISBN: 3832225323
