Molekularstrahlepitaxie
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Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein bestimmtes PVD-Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen.
Meist handelt es sich dabei um einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie GaAs, InP, GaInNAs, GaSb, oder ähnlichem, die epitaktisch auf einem Substrat aufwachsen. Epitaxie bedeutet dabei, dass die Kristallstruktur der aufwachsenden Schicht sich der des Substrates anpasst, solange die physikalischen Eigenschaften der beiden Substanzen nicht zu stark voneinander abweichen (man spricht von Homoepitaxie, wenn Substrat und Schicht aus der gleichen Verbindung bestehen, ansonsten von Heteroepitaxie).
MBE läuft unter Ultrahochvakuum ab, um Verunreinigungen durch Restgasatome zu vermeiden. Die Stoffe, aus denen die Schicht bestehen soll, werden in Evaporationstiegeln (Effusionszellen), erhitzt und gelangen als gerichteter Molekularstrahl (ohne Stöße mit dem Hintergrundgas) zum Substrat. Dieses wird ebenfalls geheizt und erlaubt so ein geordnetes Anwachsen der Schicht.
Durch Steuerung der Tiegeltemperaturen und kontrolliertem Öffnen und Blockieren des Molekularstrahls einzelner Quellen können komplizierte Mehrschichtstrukturen mit wechselnder Zusammensetzung und Dotierungen hergestellt werden. Die Schichtdicken können wenige Nanometer bis Mikrometer betragen.
Die Molekularstrahlepitaxie findet vor allem bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente Verwendung:
- Laserdioden
- dielektrische Spiegel
- Quantenkaskadenlaser
Durch die genaue Schichtdickenkontrolle lassen sich außerdem Strukturen mit sehr kleinen räumlichen Abmessungen verwirklichen. Diese haben neuartige Eigenschaften, die auf Quantenphänomenen basieren. Dabei werden häufig natürliche Rauhigkeiten oder Selbstorganisation innerhalb der Grenzschichten bei Heteroepitaxie ausgenutzt.
[Bearbeiten] Siehe auch
[Bearbeiten] Weblinks
- epitaxy.net: ein zentrales, nicht-kommerzielles Forum rund um die Epitaxie, u.a. mit einer umfangreichen Linkliste und einer Weltkarte mit Standorten von Epitaxieanlagen.
