Insulated gate bipolar transistor
Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Denne naturvidenskabsartikel er kun påbegyndt. Hvis du ved mere om emnet, kan du hjælpe Wikipedia ved at udvide den. |
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistorteknologi.
Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger - ja op til mange mange kilovolt - ved fuld kontrol.
[redigér] Eksterne henvisninger
- About the inventors
- Device physics information from the University of Glasgow
- Spice model for IGBT
- An audio power amplifier using 16 IGBTs